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    Vishay推出全球領先的汽車級80 V P溝道MOSFET,以提高系統能效和功率密度
    來源:中國數控機床網   發表時間:2021/4/8 16:17:00  瀏覽次數:
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    —— 器件采用歐翼引線結構PowerPAK SO-8L小型封裝具有業界出色FOM并獲得AEC-Q101認證

    日前,Vishay Intertechnology, Inc. 近日推出通過AEC-Q101認證、全球先進的p溝道80 V TrenchFET® MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP導通電阻達到80 V p溝道器件優異水平,可提高汽車應用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結構5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型單體封裝,10 V條件下最大導通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。

    日前發布的汽車級MOSFET導通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %,比前代解決方案低31 %,占位面積減小50 %,有助于降低導通功耗,節省能源,同時增加功率密度提高輸出。SQJA81EP 10 V條件下優異的柵極電荷僅為52 nC,減少柵極驅動損耗,柵極電荷與導通電阻乘積,即用于功率轉換應用的MOSFET優值系數(FOM)達到業界出色水平。

    器件可在+175 °C高溫下工作,滿足反向極性保護、電池管理、高邊負載開關和LED照明等汽車應用牢固性和可靠性要求。此外,SQJA81EP鷗翼引線結構還有助于提高自動光學檢測(AOI)功能,消除機械應力,提高板級可靠性。

    器件80 V額定電壓滿足12 V、24 V和48 V系統多種常用輸入電壓軌所需安全裕度。MOSFET提高了功率密度,從而減少需要并聯的元器件數量,節省PCB空間。此外,作為p溝道器件,SQJA81EP可簡化柵極驅動設計,無需配置n溝道器件所需的電荷泵。 MOSFET采用無鉛(Pb)封裝、無鹵素、符合RoHS標準,經過100 % Rg和UIS測試。

    SQJA81EP現可提供樣品并已實現量產,供貨周期為14周。

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